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6.720J / 3.43J 2002秋季課程:積體微電子電路元件(Integrated Microelectronic Devices, Fall 2002)


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審定:陳宗豪(簡介並寄信)
翻譯:詹益綜(簡介並寄信)
編輯:陳宗豪(簡介並寄信)

Schematic diagram of modern bipolar junction transistor (BJT): cross section (top), layout at the wafer surface (bottom).
近代雙載子接面電晶體(BJT)的概要圖:截面圖(上圖),在晶圓表面的佈局圖(下圖)。 (圖片由Jesús del Alamo提供)
Schematic diagram of modern bipolar junction transistor (BJT): cross section (top), layout at the wafer surface (bottom). (Image by Jesús del Alamo.)

課程重點

此課程所有的教材幾乎都置於網路上, 包含一整套完整的課堂講稿元件特性描述及設計方面的專題。教授正在為此6.720和類似研究所程度及高等大學程度課程撰寫微電子元件物理教科書。這本書的標題暫定為《積體微電子元件:物理及模型》。將被Prentice Hall出版於電子學及超大規模積體電路叢書(C. G. Sodini 為此叢書之編輯)。此課程所用到的大部分圖解資料將會出現在此書。

This course offers virtually all of its materials online, including a complete set of lecture notes and device characterization and design projects. Prof. Jesus del Alamo is in the process of writing a textbook for 6.720 and similar graduate-level and advanced undergraduate-level courses in microelectronic device physics. The tentative title of this book is Integrated Microelectronics Devices: Physics and Modeling. It will be published by Prentice Hall in its Electronics and VLSI Series (C. G. Sodini, Series Editor). Most of the graphical material included on this course site will appear in the book.

課程描述

6.720 課程檢視了在矽積體電路應用上的微電子半導體元件物理。主題包含:半導體基本原理、P-N接面、金屬-氧化層半導體結構、金屬-半導體接面、金氧半導場效電晶體和雙載子接面電晶體。此課程著重於藉由能帶圖來了解元件操作的物理特性及短通道金氧半導場效電晶體元件設計。近代元件的微縮問題也被概述。這門課等同於二點工程設計分數。

6.720 examines the physics of microelectronic semiconductor devices for silicon integrated circuit applications. Topics covered include: semiconductor fundamentals, p-n junction, metal-oxide semiconductor structure, metal-semiconductor junction, MOS field-effect transistor, and bipolar junction transistor. The course emphasizes physical understanding of device operation through energy band diagrams and short-channel MOSFET device design. Issues in modern device scaling are also outlined. The course is worth 2 Engineering Design Points.
師資
講師:
Jesús del Alamo 教授
上課時數
教師授課:
每週3節
每節1小時

複習/實習課程:
每週1節
每節1小時

程度
研究所
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原文聲明

 
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